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高性能负载开关芯片(模块)
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项目主要研究内容:

1.本项目主要实现具有高性能的负载开关芯片(模块)。要求模块能够作为芯片独立使用或作为单元库嵌入到其它IC芯片中。
2.应用本公司独创的HiFET 器件工艺技术于负载开关设计之中,设计紧凑优化的版图结构,同时兼顾不同晶元厂工艺的特点。
3.设计具有优越开关性能,低导通电阻和较宽工作电压范围的集成MOS开关芯片模块;
4.设计过热关闭保护电路;设计过流限流电路;设计开关慢启动斜坡升压电路和快速关断放电电路。

无论是作为一个独立芯片或是一个单元库嵌入到其它芯片中,市场对于负载开关的需求与日俱增,从各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备,到PC,笔记本电脑,都需要使用负载开关以提供高效率的电源管理。我们已了解的部分市场需求量就在60KK只/年以上,而且每年约以8%的速度递增,而在这块市场中95%的市场份额被海外芯片把持着,因此本项目产品市场前景十分广阔。

该项目产品的研制、开发是我们在消化和吸收国外先进IC设计理念,结合本公司国外和国内的技术力量,由我公司自主创新完成。在各类技术性能指标上将与国外同类产品持平,同时其具有更好的兼容性,可以直接嵌入到其它芯片中等特点,目前我们的售价较国外同类产品价格低了50%左右,价格极具竞争力。我们已与并将进一步与更多的销售该类IC的通路商,以及最终用户达成意向,促使这些公司推广或采用我们的产品。 


项目进展情况:

技术: 本项目的研究核心是应用我们开发的HiFET器件技术于负载开关之中。该器件技术提供了一种将功率沟槽MOS晶体管,集成在常规平面工艺的集成电路中,实现了功率管和其它电路的集成单片化,满足了电子设备性能和集成度提高的要求

成果: 开发了高性能负载开关器件,该器件对负载开关的开关性能和芯片尺寸有直接的大幅度改善,这也是在本项目的技术基础。完成产品的电路设计,论证以及系统仿真。 
 
 
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